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电子元器件详细资料 » IC[28093] » SI9410BDY-T1-GE3
型号:SI9410BDY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C24 毫欧 @ 8.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs23nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828
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SI9410BDY-T1-GE3相关型号

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